[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法在审
| 申请号： | 202111439615.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115132731A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | A·M·洛;陈卓;M·米洛耶维奇;T·A·奎克;R·J·希尔;S·E·西里斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/11507;H01L27/11509;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。导电门控结构邻近于所述有源区。所述导电门控结构包含接近所述有源区的内部区，且包含远离所述有源区的外部区。所述内部区包含含有钛和氮的第一材料，且所述外部区包含含金属的第二材料。所述第二材料具有比所述第一材料高的导电性。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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