[发明专利]一种提高放电管浪涌能力的版图结构在审
| 申请号： | 202111444182.8 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114171515A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;倪侠;徐玉豹;张荣;王全;霍传猛;肖海林 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡阔雷 |
| 地址： | 230000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高放电管浪涌能力的版图结构，包括硼区，所述硼区上开设有调整区域和发射区域，所述调整区域分为调整区一和调整区二，所述发射区域分为发射区一和发射区二，所述发射区一上开设有若干个短路孔一，所述发射区二上开设有若干个短路孔二，所述调整区一位于发射区一和发射区二之间，所述调整区二位于硼区边缘金邻发射区一，本发明的版图结构减小了调整区到发射区的距离，初始开通面积大，不会在开启瞬间形成局部电流集中进而造成过热烧毁，相对于传统的单发射区版图结构，本发明的di/dt耐量和浪涌能力有显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 放电 浪涌 能力 版图 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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