[发明专利]一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111455348.6 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114236880A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 朱子健;赵瑛璇;黄海阳;甘甫烷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/025 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用，包括硅层(1‑9)，其特征在于：所述硅层(1‑9)上依次包括P型重掺杂区(1‑5)、P型中等掺杂区(1‑3)、P型轻掺杂区(1‑1)、N型轻掺杂区(1‑2)、N型中等掺杂区(1‑4)和N型重掺杂区(1‑6)；所述P型轻掺杂区(1‑1)与N型轻掺杂区(1‑2)形成至少两个纵向PN结，至少三个横向PN结。本发明通过控制离子注入的比例和位置，实现高效调制的硅基耗尽型调制器，且在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 电光 调制器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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