[发明专利]半导体工艺异常的检测方法、装置与系统在审
申请号: | 202111459865.0 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114256105A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 朱道钰;杨海峰 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张岳峰 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种半导体工艺异常的检测方法、装置与系统。该方法包括:在存在异常晶圆的情况下,获取在相同的工艺步骤时制作异常晶圆的和正常晶圆的第一工艺数据和第二工艺数据;根据第一工艺数据和第二工艺数据,判断异常晶圆的工艺步骤是否发生异常。该方法中,在生产完成的晶圆不满足预定要求的性能时,获取异常晶圆和正常晶圆在相同的工艺步骤制作时的第一工艺数据和第二工艺数据,根据异常晶圆的第一工艺数据和正常晶圆的第二工艺数据,就可以确定该步骤是否发生异常,从而实现了检测半导体制作工艺步骤是否发生异常,进而可以根据该检测结果,调整相关工艺步骤的参数,避免在后续的半导体制作中造成更大的损失。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺 异常 检测 方法 装置 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造