[发明专利]具有凹槽的载板的制备方法在审
| 申请号： | 202111468646.9 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114267595A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种具有凹槽的载板的制备方法，包括：S100，采用激光切割方法，在载板上表面的预设区域内进行切割，形成多根立柱；S200，采用蚀刻液对预设区域内的多根立柱进行蚀刻，至多根立柱被蚀刻掉预设量，采用揭开剥离工艺使多根立柱从载板分离，以在预设区域处形成凹槽。根据本发明的具有凹槽的载板的制备方法，先采用激光工业在载板的预设区域加工形成多根立柱，然后采用蚀刻液对多根立柱进行蚀刻，再结合揭开剥离工艺将立柱从载板脱离，完成载板的凹槽制备。该方法操作简单、加工效率高，且可以方便地实现薄壁凹槽的加工制备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹槽 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
