[发明专利]芯片局部涂覆装置在审
| 申请号： | 202111473541.2 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114203592A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;单书珊;陈燕宁;董广智;钟明琛;宋彦斌;吴峰霞;刘春颖;鹿祥宾;刘波 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G02B21/26;G02B21/24;G02B21/06 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 局部 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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