[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111473641.5 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116192075A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 时亚南;齐飞 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括工作区和互连区，所述工作区的所述衬底上形成有器件结构；在所述器件结构的顶部、以及所述互连区的所述衬底的顶部形成互连层，所述互连区的互连层与所述器件结构电连接；在所述互连区的所述互连层的顶部形成保护层；形成所述保护层之后，去除所述器件结构顶部的所述互连层；去除所述器件结构顶部的所述互连层之后，去除所述保护层。所述保护层降低了在所述互连层的顶面出现聚集析出现象的概率，同时，也降低了在互连层中出现空洞的概率，从而提高了所述互连层顶面形貌的完整性，进而提高了所述半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路（宁波）有限公司，未经中芯集成电路（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111473641.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆冷却装置及车辆热管理系统
- 下一篇：一种随机抽取游戏卡牌的方法及装置
