[发明专利]一种五水硫酸铜晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 202111474875.1 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114016047A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈春;张兵;向文胜;赵建龙 | 申请（专利权）人： | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C25B1/01 | 分类号： | C25B1/01;C25B9/23;C01G3/00;C01G3/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈小龙 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种五水硫酸铜晶体及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、在电解槽中靠近阳极一侧设置仅允许阳离子通过的单向离子膜，靠近阴极一侧设置仅允许阴离子通过的单向离子膜；在电解槽中加入硫酸水溶液，以电解铜板为阳极，通电电解，得到硫酸铜溶液；步骤2、在电渗析器中交替设置至少一组阳离子膜和阴离子膜，与阳极相邻的是阳离子膜，与阴极相邻的是阴离子膜；将步骤1中的硫酸铜溶液导入电渗析器中，通电电渗析，得到进一步提纯后的硫酸铜溶液；步骤3、将步骤2所得硫酸铜溶液进行蒸发浓缩结晶处理，离心，得到所述五水硫酸铜晶体。本发明所述制备方法工艺简单，制备的硫酸铜晶体纯度高且质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫酸铜 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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