[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111477229.0 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114188304A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杜佳豪;廖柏咏;孙铭伟;温又卿;任珂锐;何毅达;黄颂祐 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括基板、第一、二半导体层、第一、二、三绝缘层及第一、二导电层。第一半导体层设于基板上且具第一部。第一绝缘层设于第一半导体层上。第一导电层设于第一绝缘层上且具第一部。第二绝缘层设于第一导电层上。第二半导体层设于第二绝缘层上且具第一部。第一半导体层第一部、第一导电层第一部及第二半导体层第一部沿远离基板方向依序设置。第三绝缘层设于第二半导体层上。第二导电层设于第三绝缘层上。第二导电层具第一、二、三及四部。第二导电层第一、二部彼此分离且通过第三绝缘层多个接触窗分别电连接至第一半导体层第一部不同两区。第二导电层第三、四部彼此分离且通过所述多个接触窗分别电连接至第二半导体层第一部不同两区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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