[发明专利]一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法在审
| 申请号： | 202111477825.9 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114217508A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张中;张国栋;陈文军;龙欣江;谢雨龙 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/004;G03F7/16;G03F7/38 |
| 代理公司： | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 裴素艳 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开的光刻‑曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，所述光刻‑曝光工艺包括如下步骤：涂胶、曝光、显影；所述曝光步骤包括边缘曝光和整片曝光，边缘曝光时沿晶圆片内边缘进行边缘曝光处理；整片曝光时采用遮边环对边缘曝光处进行遮光，然后对晶圆片进行整片曝光，所述遮边环的宽度大于所述边缘曝光的宽度；所述显影步骤结束后在所述晶圆片内边缘处形成一圈胶圈。本发明提供的方法显影后会在晶圆片内边缘留下一圈胶线，此晶圆片在电镀时，不存在电镀液渗镀现象，从而提高电镀效率，改善电镀质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 曝光 工艺 中晶圆片 边缘 处理 方法 | ||
【主权项】：
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