[发明专利]一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法在审
| 申请号： | 202111479941.4 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114105087A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曹卫达;丁景兵;吴梦茹 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：S1、选取SOI晶圆并刻蚀形成台阶；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅及台阶，形成梳齿结构及硅草；S4、在梳齿结构和硅草上设置厚钝化层；S5、刻蚀气体去除水平面上的钝化层；S6、刻蚀气体钻蚀所述台阶和硅草的根部；S7、刻蚀气体去除硅草表面上的钝化层；S8、刻蚀气体刻蚀倒在所述台阶上的硅草；S9、清洗残留的所述钝化层及硅草。本发明操作方便，硅草去除干净，有效的提升了器件的使用可靠性，增加了工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 moems 器件 台阶 方法 | ||
【主权项】：
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