[发明专利]接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111486051.6 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114420798A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄炳铨;张珂;吴涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/44;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 田丽丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触电极的制备方法、Mirco‑LED阵列器件及其制备方法，接触电极的制备方法，包括以下过程：提供Micro‑LED阵列基板，在所述Micro‑LED阵列基板的接触电极位置形成铟主体层；在所述铟主体层上形成金属保护层；对所述铟主体层和所述金属保护层进行回流，得到所述接触电极。本发明制备的接触电极的高度、形状以及大小均匀，偏差较小，降低接触电极与驱动电路板的电极连接过程中出现短路、虚焊的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 电极 制备 方法 mirco led 阵列 器件 及其 | ||
【主权项】：
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