[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202111492822.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114639691A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 郑有珍;郑闵至;赵鼎镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;李竞飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括:基板,该基板包括在平行于基板的第一表面的方向上布置的多个单位像素;第一光电二极管和第二光电二极管,在基板的内部位于多个单位像素中的每一个中,并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此分离;以及器件隔离膜,位于多个单位像素之间。在多个单位像素当中,在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上并排的成对的像素共用微透镜,并且多个单位像素中的至少一个包括位于基板上的光屏蔽膜。因此,在图像传感器中,在保持现有的光电二极管形成工艺的同时,可以补充竖直方向上的自动聚焦功能,并且进一步,可以改善图像传感器的性能。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的