[发明专利]过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置在审
| 申请号： | 202111493350.2 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114267587A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 梅运柱;贾马龙;常李阳;张子曰;曹志文;李伟华;李阳 | 申请（专利权）人： | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 吴娜娜 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置，先由第二膜层朝向基板的方向，在第二膜层的表面刻蚀过孔。当刻蚀过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时，说明刻蚀过孔的位置到达第一膜层和第二膜层的界面。然后继续刻蚀第一膜层形成过孔。在第二膜层刻蚀过孔时，通过监测过孔产生的生成物的光强变化率能够大致判断过孔的刻蚀位置。通过生成物的光强变化率判断过孔刻蚀的位置可能会有监测延迟带来的误差。由于第一膜层厚度已知，第一膜层的材料材质和密度相对均匀，因此刻蚀第一膜层的速率容易控制。在刻蚀过孔的最后阶段，通过控制刻蚀时间控制过孔在第一膜层的刻蚀的深度，能够提高刻蚀第一过孔的终点位置的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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