[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111497512.X | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242851A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李全同;刘珠明;王长安;宋鹏程;张衍俊;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王忠宝 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，首先提供一衬底，然后基于衬底生长氮化镓层，并对氮化镓层进行铟掺杂，其中，掺杂后的铟组分大于9.5％，最后基于掺杂后的氮化镓层生长外延层，以制作半导体器件。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了半导体器件的螺型位错且工艺较为简单的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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