[发明专利]一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法有效

专利信息
申请号: 202111508694.6 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114182350B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 刘禹彤;赵勇;秦佳佳;周大进 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B11/00;H01B12/00
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法。将硒粉,铁粉,碲粉按照硒‑铁‑碲的顺序放入刚玉坩埚中,再将坩埚放入石英管中进行封管;将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结,自然冷却取出;将上述烧结得到的混合物研磨成粉末,命名为SFT,将SFT与铅粉研磨成粉末,压成多晶料棒;再将SFT压成籽晶棒;在熔融炉的熔融区左侧放上籽晶棒,顺时针旋转,在熔融区的右侧放上多晶料棒,逆时针旋转;待结晶全部停止,降至室温,获得FePbSeTe单晶超导材料。本方法成功的将过渡金属Pb掺入到FeSeTe的晶格中,取代Fe的位,提高了FeSeTe单晶超导体的超导性能,且本发明可以制备大块的单晶超导体。
搜索关键词: 一种 悬浮 熔炼 法制 fepbsete 超导 材料 方法
【主权项】:
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