[发明专利]存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111514469.3 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114220813A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘子易;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种存储器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器件包括：衬底；衬底上的存储单元阵列，包括多个存储单元，其中，每个存储单元包括：水平方向间隔排布的左叠层和右叠层，左叠层和右叠层均包括依次叠置于衬底上的下隔离层、PMOS层、第一NMOS层、上隔离层和第二NMOS层，PMOS层、第一NMOS层和第二NMOS层均包括竖直叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，沟道层相对于第一源/漏层和第二源/漏层横向凹入；栅堆叠，在竖直方向上介于第一源/漏层与第二源/漏层之间，且设于沟道层的相对两侧以嵌入沟道层的横向凹入。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
