[发明专利]电容器制造方法在审
| 申请号： | 202111520468.X | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114630501A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | M·布夫尼彻尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06;H05K3/04;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄海鸣 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本说明书涉及一种电容器制造方法，包括以下步骤：a)形成堆栈，该堆栈从基板的上表面起依次包括由铝或铝基合金制成的第一导电层、第一电极、第一介电层和第二电极；b)通过化学等离子体蚀刻对堆栈的上部进行蚀刻，所述化学等离子体蚀刻在第一导电层的上表面之前中断；和c)通过物理等离子体蚀刻对堆栈的下部进行蚀刻，所述物理等离子体蚀刻在第一导电层的上表面中断。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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