[发明专利]芯片级封装发光二极管在审
申请号: | 202111520880.1 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN114203880A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金钟奎;李俊燮 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/10;H01L33/40;H01L33/52;H01L33/62;H01L27/15 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种芯片级封装发光二极管。在根据本实施例的发光二极管中,使焊盘金属层暴露的开口部与使形成于台面上的欧姆反射层暴露的下部绝缘层的开口部隔开。因此,能够防止焊料,特别是Sn扩散而污染欧姆反射层。 | ||
搜索关键词: | 芯片级 封装 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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