[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统在审
申请号: | 202111529275.0 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114664844A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 李慧美;高圣才;宋炫周;朴宣重;朴汉容 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11575;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括:在基板上的外围电路层;在基板上的下堆叠和上堆叠;停止物层,在上堆叠上并包括绝缘材料;在停止物层上的上模具层;延伸穿过下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层的单元沟道结构,单元沟道结构的侧表面接触停止物层;第一覆盖层和第二覆盖层;字线分隔结构,包括朝向停止物层突出的突起;以及连接到单元沟道结构的位线接触插塞,其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移并与字线分隔结构接触。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 包括 电子 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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