[发明专利]基板处理系统和微粒去除方法在审
| 申请号： | 202111529780.5 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114664693A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 七崎玄一;原大辅;长田英之;二瓶光;森冈达也;松井旺大 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理系统和微粒去除方法，不在设为微粒的去除对象的收容室设置冷却机构地从收容室去除微粒的原因要素。微粒去除动作具有以下工序：工序(a)、将载置于至少1个基板冷却台上的至少1个基板假片冷却至第一温度，第一温度为5℃～20℃；以及工序(b)、在将冷却后的至少1个基板假片载置于至少1个末端执行器上的状态下，将至少1个末端执行器在真空搬送模块内或基板处理模块内的多个位置中的任一位置维持第一期间，第一期间为30秒以上。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 微粒 去除 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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