[发明专利]一种双向硅控整流器及电路结构有效
申请号: | 202111533809.7 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114242717B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | 江哲维;姜心愿;谷欣明;南帐镇 | 申请(专利权)人: | 北京奕斯伟计算技术股份有限公司;合肥奕斯伟集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02M7/155 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 刘铁生;孟阿妮 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种双向硅控整流器及电路结构,涉及集成电路技术领域,主要目的提供双向硅控整流器的维持电压;主要技术方案包括:第一阱区、第二阱区、位于第一阱区和第二阱区之间的第三阱区;位于第一阱区内部的第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区为环形,第一阱区中的第一目标阱区被包裹在第一掺杂区的中空区域内;位于第一阱区外部的第一金属元件,且第一金属元件的设置位置与第一掺杂区的中空区域相对;位于第二阱区内部的第三掺杂区和第四掺杂区,第三掺杂区为环形,第二阱区中的第二目标阱区被包裹在第三掺杂区的中空区域内;位于第二阱区外部的第二金属元件,且第二金属元件的设置位置与第三掺杂区的中空区域相对。 | ||
搜索关键词: | 一种 双向 整流器 电路 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的