[发明专利]一种MOS耐压及漏电流验证方法、系统和计算机终端在审
| 申请号： | 202111534675.0 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114186525A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 四川创安微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/394;G06F30/398 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 徐骥 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS耐压及漏电流验证方法、系统和计算机终端。其中，MOS耐压及漏电流验证方法包括以下步骤：S1：获取多电源域集成电路版图；S2：对多电源域集成电路版图进行MOS耐压验证和漏电流验证，输出验证结果；S3：若所述验证结果为存在MOS耐压或漏电流中的至少一种，则执行S4；否则，执行S5；S4：根据所述验证结果对多电源域集成电路版图进行修改，得到修改后的多电源域集成电路版图，执行所述S1‑S3；S5：输出多电源域集成电路版图。本发明不依赖于人的经验，整个验证过程严格按照验证规则和既定流程执行，采用计算机验证替代人工检查，从而大幅提高验证效率和准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 耐压 漏电 验证 方法 系统 计算机 终端 | ||
【主权项】：
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