[发明专利]晶片背面减薄的异常返工方法在审
| 申请号： | 202111537647.4 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114334721A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 徐永;闵源 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的晶片背面减薄的异常返工方法，用于对未完成背面减薄的异常晶片进行返工。所述异常返工方法包括：提供径向尺寸与异常晶片相同的支撑片；将支撑片背面朝上的传送至对准工作台上；检测支撑片背面的中心且暂停晶背减薄机台；在支撑片的背面上形成水膜；将异常晶片正面朝下的放置在支撑片的背面上，且使得异常晶片和支撑片的边缘重合，水膜将异常晶片与支撑片粘合；启动晶背减薄机台，传送机械手从异常晶片的背面抓取异常晶片和支撑片，在提升设定高度后，暂停晶背减薄机台；将支撑片从异常晶片的正面剥离；再次启动晶背减薄机台，将异常晶片传递到相应的研磨工作台。如此，可以对异常晶片进行返工，有助于提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 背面 异常 返工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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