[发明专利]薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统在审
| 申请号： | 202111539267.4 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114220737A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 杨俊锋;刘宇鹏;丁明建;郭洽丰;冯毅龙;罗育红 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 511400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统，其中，薄膜电路侧面图形化方法，包括：在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒‑有机物涂层，并对纳米金属颗粒‑有机物涂层进行风干处理；将激光诱导母体中涂覆有风干后的纳米金属颗粒‑有机物涂层得一面紧贴基板侧面；利用激光按照预设侧面电路图形照射贴有激光诱导母体板的基板侧面，使得激光照射处纳米金属颗粒‑有机物涂层中的纳米金属颗粒固化在基板侧面上，形成侧面电路图形；移除激光照射后的激光诱导母体板。本发明避免了液态纳米金属颗粒‑有机物涂层直接与基板接触污染正面电路图形和背面电路图形。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电路 侧面 图形 方法 批量 制备 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州天极电子科技股份有限公司，未经广州天极电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111539267.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种食用油反式脂肪酸的检测方法
- 下一篇：一种水利工程用防管道堵塞的清淤设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
