[发明专利]一种检测外延生长后图形偏移的方法在审
| 申请号： | 202111541427.9 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114267622A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 董俊;张顾斌;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，在晶圆上形成多个当层图形；对晶圆上的多个当层图形进行外延生长，外延后的当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；利用视觉成像对位光刻机形成与A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与B对准标记对应的B套刻标记；分别量测所述A对准标记与A套刻标记之间的A套刻精度以及B对准标记与B套刻标记之间的B套刻精度；将A套刻精度与B套刻精度进行差异化比较。本发明的方法通过量测两种不同对位系统曝光后的套刻标记的矢量图，来检测晶圆上的图形是否发生位置的漂移，可以用于检测外延生长后图形偏移的方向及程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 外延 生长 图形 偏移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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