[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法在审
| 申请号： | 202111543112.8 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN114220782A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/065;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材料制成。此外，该芯片封装件包括位于介电层中的电连接至半导体管芯的导电焊盘的导电部件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111543112.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
