[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111545321.6 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114420634A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 卓明川;陈宏;曹秀亮;刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源区和漏区；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构；在所述第一介质层上形成顶层金属层，且所述顶层金属层与所述栅极结构、所述源区和所述漏区电连接；在所述第一介质层及所述顶层金属层上顺形地形成第二介质层；刻蚀所述顶层金属层上方的所述第二介质层的部分厚度，并对所述第二介质层进行平坦化工艺，通过刻蚀工艺均匀所述第二介质层的形状，进而对所述第二介质层的研磨速度，避免所述顶层金属层收集等离子体沉积过程中产生的游离电荷而导致的等离子损伤及漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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