[发明专利]单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质

摘要

本发明提供了单晶炉用加料方法、单晶炉及计算机可读存储介质，涉及拉晶技术领域。方法包括：获取预设加料总质量M1、首次加料的质量m1、末次加料的质量m2、单次平均加料质量坩埚的半径r；首次加料；用M1减去m1，并减去m2，得到待分配料的质量M2；根据M2、确定待分配料所需的加料次数，以及待分配料分别在各加料次的加料质量；将前一次所加料熔化至80％‑90％的质量的时刻，确定为相邻的后一加料次的加料时刻；根据ΔH＝m÷πr2ρ，确定除首次加料外的每一加料次对应的坩埚需要下降的高度；控制单晶炉，在每一加料时刻，将坩埚下降加料次对应的ΔH，然后向坩埚内加对应的加料质量的硅原料，直至末次加料。本申请人工操作简便，节省时间且不易溅硅。