[发明专利]一种PD-SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置

摘要

本发明涉及半导体技术领域中的集成电路ESD防护可靠性的设计，具体为针对一种PD‑SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置，在PD‑SOI集成电路工艺下通过适当掺杂和结构设计形成侧边附加结构，该侧边附加结构在与径向垂直的侧向方向上，从而为传统的PNPN可控硅结构提供了额外的嵌入式寄生机构，构成新型ESD防护装置；包含半导体基底一、半导体基底二、绝缘体介质一、绝缘体介质二、绝缘体上半导体基质一、绝缘体上半导体基质二、绝缘体上半导体基质上的多晶硅一和多晶硅二；所述多晶硅一根据方向不同分为径向多晶硅和侧边多晶硅，径向多晶硅和侧边多晶硅电连接，侧边多晶硅在一侧收窄，宽处与窄处有倒角；所述半导体基底一和半导体基底二可以为硅基底。