[发明专利]一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法在审
| 申请号： | 202111618101.1 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114464574A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈睿;都安彦;韦亚一;邵花;杨红;罗军;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法。一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法，包括下列步骤：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域用于形成PMOS管，所述NMOS区域用于形成NMOS管；在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成鳍片；在所述鳍片间填充隔离材料，形成浅沟槽隔离；在所述浅沟槽隔离中刻蚀出沟槽；在所述沟槽内掩埋电源线。进行后续工艺。本发明在浅沟槽隔离中预先掩埋电源线，避免了后制程中金属线过于拥挤导致的宽度受限、光刻工艺窗口小、电流短路、散热差等问题，进而缩小了标准单元面积，提高了性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 沟道 隔离 制造 电源线 方法 | ||
【主权项】：
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