[发明专利]可控硅静电防护器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111620027.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114883381A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 胡涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L27/02;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控硅静电防护器件及其制造方法，该可控硅静电防护器件包括：衬底；设置于衬底上的N型阱区和P型阱区；设置于N型阱区内的第一N+注入区和第一P+注入区；设置于P型阱区内的第二N+注入区和第二P+注入区；跨设在N型阱区和P型阱区上的第三N+注入区；与第三N+注入区相邻的第三P+注入区，其中，第三N+注入区和第三P+注入区的掺杂浓度均高于第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区的掺杂浓度；且当第三N+注入区与第三P+注入区构成的PN结结构发生齐纳击穿时，触发可控硅形成电流泄放通路。本发明能够降低可控硅静电防护器件的触发电压，且可以实现不同的可控硅器件触发电压，具有高稳定性和高鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 静电 防护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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