[发明专利]一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法在审
| 申请号： | 202111625742.X | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114497368A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;王博平 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/11502 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法。一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上生长底电极；在所述底电极上生长掺杂氧化铪薄膜；在掺杂氧化铪薄膜表面先利用ALD法生长一层氮化钛；然后利用PVD法生长剩余氮化钛，形成上电极。本发明能够优化掺杂氧化铪薄膜的上表面，从而实现增大基于掺杂氧化铪薄膜铁电器件的剩余极化强度和电压耐受性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 掺杂 氧化 薄膜 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
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