[发明专利]分离栅MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202111635852.4 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114678275A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡金勇;董仕达;王加坤 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种分离栅MOSFET及其制造方法。该制造方法包括：形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的第一槽；利用第一槽形成与第一槽连通的第二槽，第一槽和第二槽的延伸方向一致；形成覆盖第二槽内表面的第一介质层，覆盖第一槽内表面第二介质层；形成位于第二槽的第一导体，第一介质层将第一导体与半导体层隔离；形成覆盖在第一导体表面的第三介质层；形成位于第一槽的第二导体，第二介质层将第二导体与半导体层隔离，第三介质层将第一导体与第二导体隔离；形成位于半导体层邻近第一槽，并与第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，其中，第一槽的内径大于第二槽的内径。该制造方法扩展了工艺窗口，有利于形成第三介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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