[发明专利]过压保护电路及装置在审
| 申请号： | 202111636041.6 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114284990A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘明;薛珂;李曙光 | 申请（专利权）人： | 南京英锐创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02H7/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种过压保护电路及装置，该电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及电平转化电路；当该外部信号端的电压高于该目标芯片的承载电压时，该电平转化电路输出预设电压；该预设电压与该外部信号端的电压存在压差，控制该第五PMOS管和该第六PMOS管导通，该第二PMOS管和该第四PMOS管关闭，以实现该目标芯片的过压保护。该电路只通过单一种类的耐高压PMOS管就可以实现芯片的过压保护，从而降低对NMOS器件的工艺的依赖。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 装置 | ||
【主权项】：
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