[发明专利]一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底在审
| 申请号： | 202111643609.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114420555A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邓信甫;唐宝国;丁立 | 申请（专利权）人： | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底，包括：步骤S1：于基板上形成一掩膜层；所述掩膜层上具有多个第一突出部；步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；步骤S3：对所述过渡层进行表面修饰，以形成所述图形化衬底。本发明的有益效果在于：通过掩膜层和过渡层实现了对衬底的二次加工，在衬底表面形成较为准确的微结构的同时实现了对衬底表面的进一步修饰，避免了现有技术中因离子蚀刻工艺导致的器件表面损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 图形 衬底 湿法 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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