[发明专利]三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统

摘要

本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺牲层；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，第一沟道孔与第二沟道孔连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构，从而，能够改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，提高了三维存储器的良率及可靠性。