[发明专利]基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路在审
| 申请号： | 202111664072.2 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114333944A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王晓媛;李谱;张新睿 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的编码‑存储‑译码电路。本发明包括四部分，其中：三值编码器电路包括编码器运行电压源、三个输入三值忆阻器、三个电压控制型开关、三个置位电压源。三值忆阻器交叉阵列包括多个阵列单元，每行结构包括输入控制电压源、晶体管控制电压源、开关和n个阵列单元，每列结构包括双向开关、电阻和m个阵列单元。三值信号转换电路包括两个置位电压源、两个电压控制型开关、一个三值忆阻器和接地开关。三值译码器电路包括译码器运行电压源、三个输出三值忆阻器、六个电压控制型开关、置位电压源、辅助电阻和译码控制开关。本发明结构清晰简单，易于实现，对于基于忆阻器的非易失性存储领域的应用研究具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三值忆阻器 交叉 阵列 编码 存储 译码 电路 | ||
【主权项】：
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