[实用新型]一种新型高静压单晶硅差压传感器有效

专利信息
申请号: 202120028828.3 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN212871584U 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 童辉;周鹏;宋礼明;朱成伟;陈修 申请(专利权)人: 南京精准传感科技有限公司
主分类号: G01L13/02 分类号: G01L13/02
代理公司: 南京鑫之航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32410 代理人: 姚兰兰
地址: 210046 江苏省南京市经济*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种新型高静压单晶硅差压传感器,包括烧结底座,所述烧结底座的内部粘贴有单晶硅差压传感器芯片并通过金丝绑定,所述烧结底座的一侧焊接有烧结连接头,所述烧结底座的底部关于中心处对称固定有低压基座和高压基座,所述低压基座和高压基座的底部分别焊接有低压端膜片和高压端膜片,所述烧结底座的外表面固定有螺纹连接头,所述低压基座和高压基座内分别设有低压油腔和高压油腔。该新型高静压单晶硅差压传感器结构简单,设计新颖,避免了单晶硅差压传感器芯片受到破坏,达到了高过载性能,另外还具有高、低压油腔油量平衡、输出稳定、高静压和高精度等优点。
搜索关键词: 一种 新型 静压 单晶硅 传感器
【主权项】:
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