[实用新型]一种降低VDMOS开关时间的器件结构有效
| 申请号： | 202120077275.0 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN213878105U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;张永利;王新强;秦鹏海;刘文 | 申请（专利权）人： | 深圳佳恩功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L23/427 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种降低VDMOS开关时间的器件结构，属于VDMOS器件技术领域。该降低VDMOS开关时间的器件结构包括本体机构和壳体机构。所述壳体机构包括外壳、缓冲组件和散热组件，所述散热组件包括散热片、热管、铜片、导热垫和插杆，所述散热片连接于所述外壳一侧，所述热管两端与所述散热片和所述铜片连接，所述导热垫两侧与所述铜片和所述本体机构一侧贴合，所述缓冲组件两端与所述铜片和所述外壳内壁连接。本实用新型通过导热垫、铜片、热管、散热片、弹簧和插杆的作用，从而达到了具有散热功能的目的，散热结构可对VDMOS管进行被动散热，使VDMOS管处于适温状态，便于延长VDMOS管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 vdmos 开关时间 器件 结构 | ||
【主权项】：
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