[实用新型]CMOS图像传感器封装结构有效
| 申请号： | 202120111156.2 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN214542238U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李建明;陈会强;郭乐 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装结构，所述CMOS图像传感器封装结构包括：图像传感器芯片和与所述图像传感器芯片电连接的金属导线，所述金属导线的第一端键合于所述图像传感器芯片的焊盘，第二端悬空于所述图像传感器芯片;所述金属导线包括键合于所述图形传感器芯片的第一线弧、从所述第二端向所述图像传感器芯片方向延伸的第二线弧以及连接于所述第一线弧和所述第二线弧的中间线弧；其中，所述中间线弧与所述第二线弧在逆时针方向的夹角小于180°。本实用新型通过改变金属导线的线型，增加金属导线的弹性，以使金属导线可以很好地吸收FPC的翘曲带来的影响，降低虚焊的发生。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
