[实用新型]基于单层ALN基板的高集成度限幅场放有效
| 申请号： | 202120154541.5 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN214045572U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 肖磊 | 申请（专利权）人： | 四川斯艾普电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/21 |
| 代理公司： | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人： | 曹宇杰 |
| 地址： | 610000 四川省成都市成华区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，包括：单层ALN基板；形成于单层ALN基板一面的第一lange电桥、第二lange电桥；通过薄膜工艺直接制备于单层ALN基板一面的薄膜电感、薄膜电阻；设于单层ALN基板一面的一组限幅芯片、一组低噪放芯片、大功率负载；第一lange电桥的两个输出端分别连接一个限幅芯片连接，第一lange电桥的隔离端连接大功率负载；各限幅芯片分别连接一个低噪放芯片；低噪放芯片分别连接于第二lange电桥的两个输入端，第二lange电桥的隔离端连接薄膜电阻；薄膜电感连接大功率负载、一组限幅芯片。在单层ALN陶瓷基片上直接制备lange电桥、薄膜电阻、薄膜电感，缩小了限幅场放整体尺寸大小，提高限幅场放集成度，减少后期装配工序，有效吸收反射功率，阻隔高频信号。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单层 aln 集成度 限幅 | ||
【主权项】：
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