[实用新型]一种双芯片放大器合封装的结构有效
申请号: | 202120245493.0 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN213988885U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 陈贤明 | 申请(专利权)人: | 罗定市英格半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L25/10;H01L23/31;H01L23/10;H01L23/24;H01L23/467 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 527200 广东省云*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双芯片放大器合封装的结构,包括载板,载板顶部设置有封盖,载板顶部且位于封盖内部依次开设有两个开槽,开槽内部设置有封装体,两个封装体内部分别设置有第一芯片与第二芯片,设置有第一芯片的封装体顶部两侧均设置有多个第一导电体,设置有第二芯片的封装体顶部两侧均设置有多个第二导电体,第一导电体与第二导电体及第二导电体与载板顶部之间均通过键合金线保持连接,开槽底部设置有若干将载板贯穿的散热孔。有益效果:通过对双芯片进行单独的封装与装配,能够保证双芯片各自的封装强度与密封性能,保证其在运行时或运输中的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 放大器 封装 结构 | ||
【主权项】:
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