[实用新型]一种功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202120282289.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN214203668U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 莫胜军 | 申请（专利权）人： | 博州晖力普电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/16;H01L23/48;H01L23/467 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 833400 新疆维吾尔自治区博尔塔拉蒙古自治州博*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率半导体器件结构，包括器件本体，所述器件本体的侧表面固定连接有散热板，所述散热板远离器件本体的一侧固定连接有连接块，所述连接块远离散热板的一端固定连接有封盖，所述封盖的下表面固定连接有散热条，所述器件本体的左侧面固定连接有第一引脚，所述器件本体的右侧面固定连接有第二引脚。本实用新型，设置在器件本体外部散热板，对器件本体进行降温，避免器件本体温度过高，提高器件本体的使用寿命，设置金属片，增强引脚的刚度与柔软度，避免引脚在使用时断裂，增加该装置的实用性，设置多个散热通道，使器件本体散热的热量均匀地通过散热通道排出，避免热量分布在一块，导致封盖受热损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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