[实用新型]抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件有效
| 申请号： | 202120352613.7 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN214797430U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王杏娟;凌根略;王敏;陶武刚;徐兴军 | 申请（专利权）人： | 郴州旗滨光伏光电玻璃有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 423000 湖南省郴州*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及光伏技术领域，提供了抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件，其中，所述抗PID效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的PID衰减效应的产生；同时，氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗PID效应较强且整体性能优异，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | pid 效应 组件 晶体 硅光伏 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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