[实用新型]气体操作头和晶片吸附装置有效
申请号: | 202120355418.X | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN214254385U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 郎欣林;罗会才;闫静 | 申请(专利权)人: | 深圳市丰泰工业科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 艾青;牛悦涵 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体设备技术领域,公开了一种气体操作头和晶片吸附装置。气体操作头包括:操作头主体、操作头基座、密封盖板、以及发光件。操作头主体为内部中空的主体腔体;操作头主体的外壁上设置有凸出操作头主体外壁的操作工作面,操作工作面上设置有与主体腔体相连通的至少一个气口;操作头基座的内部设置有基座腔体,操作头基座的一个端面上设置有腔体开口;腔体开口与基座腔体相连通,基座腔体与主体腔体相连通;密封盖板可拆卸地密封固定在腔体开口上;发光件以用于照射气口。利用本实用新型实施例提供的气体操作头,根据发光件发出的光线穿透气口的情况,从而判断气口是否堵塞,了解气体操作头吸附晶片的情况,提高晶片吸附效率。 | ||
搜索关键词: | 气体 操作 晶片 吸附 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造