[实用新型]一种均匀控制的等离子蚀刻装置有效
| 申请号： | 202120421141.6 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214753659U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王毅;沈晓辉;李晓阳 | 申请（专利权）人： | 中睿达智能环保科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01J37/32 |
| 代理公司： | 郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙) 41179 | 代理人： | 黄照倩 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市高新区西三环路2*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种均匀控制的等离子蚀刻装置，该均匀控制的等离子蚀刻装置包括等离子箱、支撑架和等离子体发生板。等离子箱上方设置有进气管、等离子箱下方设置有出气管、底部设置有支脚，出气管下方设置有所需蚀刻的硅晶片；支撑架在等离子箱内沿左右方向间隔设置有至少三个，各个支撑架上均设置有支撑板，支撑板在对应支撑架上沿上下方向间隔设置有至少两块；等离子体发生板设置在相邻两个支撑架上处于同一水平面的支撑板上；各水平面内的支撑板和等离子体发生板将等离子箱划分为多个蚀刻气体流通区，各个蚀刻气体流通区通过等离子体排出孔连通。本实用新型的一种均匀控制的等离子蚀刻装置使得蚀刻气体能够与等离子体充分接触并携带等离子体对硅晶片进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 控制 等离子 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
