[实用新型]一种新型优化理想二极管电路有效
申请号: | 202120539180.6 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN214797418U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 岳圣玮 | 申请(专利权)人: | 上海麟荣电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海怡恩专利代理事务所(普通合伙) 31336 | 代理人: | 牟俊玲 |
地址: | 201501 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种新型优化理想二极管电路,其技术方案要点是:包括Q3驱动电阻,所述Q3驱动电阻的一端电性连接有隔离二极管,所述Q3驱动电阻和所述隔离二极管的中间电性连接有控制Q1开关MOS管的栅极,所述控制Q1开关MOS管上的漏极电性连接有Q3检测电阻,所述Q3检测电阻和所述控制Q1开关MOS管之间电性连接有Q1驱动电阻,所述控制Q1开关MOS管的栅极电性连接有限压稳压管,所述限压稳压管的另一端与所述Q1驱动电阻的另一端之间电性连接,所述限压稳压管的一端电性连接防反MOS管的源极;经过测试改进后电路可靠性得到提高,D1采用普通二极管,提高产品生产效率,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 优化 理想 二极管 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海麟荣电子技术有限公司,未经上海麟荣电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120539180.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种结构稳固的钢筋混凝土口型地下通廊结构
- 下一篇:车载USB总成
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的