[实用新型]一种NPN型光电晶体管结构有效

专利信息
申请号: 202120582463.9 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN214797438U 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 伍建国 申请(专利权)人: 深圳市德明新微电子有限公司
主分类号: H01L31/11 分类号: H01L31/11;H01L31/0352
代理公司: 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 代理人: 齐文剑
地址: 518102 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种NPN型光电晶体管结构,包括:第一N型区外包于P型区、P型区外包于第二N型区,第一N型区、P型区、第二N型区的上端面构成位于同一平面的接触面;感光区位于接触面上层;第一N型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底;第二N型区上端面,设有第一导体,且所述第一导体正投影面小于第二N型区上端面;P型区上端面,设有第二导体,第二导体正投影面小于P型区上端面。不仅可以通过感光区控制其集电极和发射极之间的导通和截止,还能通过基极引脚进行控制,以及实现感光区与基极引脚配合控制;通过结构上的改进,进一步降低晶体管的导通阻值,在工作时,可有效降低晶体上损耗和发热,延缓老化和延长使用寿命。
搜索关键词: 一种 npn 光电晶体管 结构
【主权项】:
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