[实用新型]一种NPN型光电晶体管结构有效
申请号: | 202120582463.9 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN214797438U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 伍建国 | 申请(专利权)人: | 深圳市德明新微电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/11 | 分类号: | H01L31/11;H01L31/0352 |
代理公司: | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人: | 齐文剑 |
地址: | 518102 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种NPN型光电晶体管结构,包括:第一N型区外包于P型区、P型区外包于第二N型区,第一N型区、P型区、第二N型区的上端面构成位于同一平面的接触面;感光区位于接触面上层;第一N型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底;第二N型区上端面,设有第一导体,且所述第一导体正投影面小于第二N型区上端面;P型区上端面,设有第二导体,第二导体正投影面小于P型区上端面。不仅可以通过感光区控制其集电极和发射极之间的导通和截止,还能通过基极引脚进行控制,以及实现感光区与基极引脚配合控制;通过结构上的改进,进一步降低晶体管的导通阻值,在工作时,可有效降低晶体上损耗和发热,延缓老化和延长使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 npn 光电晶体管 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的