[实用新型]一种高压肖特基二极管封装结构有效
| 申请号： | 202120590517.6 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN215069936U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 詹波 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型系提供一种高压肖特基二极管封装结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有芯片、第一导电片和第二导电片；芯片包括N型衬底，N型衬底上层叠有N型外延层、势垒金属层和阳极层，N型衬底下设有第一绝缘介质层和环状的阴极层，N型外延层一侧设有P型保护环；第一导电片包括第一平台部、第一倾斜部和第一接触部，第一平台部的顶面固定有第一爬料柱，第一平台板与阴极层之间设有第一焊接层；第二导电片包括第二平台部、第二倾斜部和第二接触部，第二平台部的底面固定有第二爬料柱，第二平台板与阳极层之间设有第二焊接层。本实用新型抗击穿电压高，能够用于高压电路环境，且封装结构稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 肖特基 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
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